El presente trabajo analiza el impacto del desarrollo de estructuras de acoplo y su aplicabilidad en el desarrollo de la fotónica de silicio, como interfaz entre una red de comunicaciones en fibra, a nivel de capa física y dispositivos encargados del procesamiento óptico, compuestos por circuitos integrados fotónicos, en redes todo óptico.  Para su análisis se ha establecido una comparativa respecto a redes en las cuales la propagación de la señal se lo realiza en el régimen óptico mientras que el procesamiento se lo realiza en el régimen eléctrico, sistemas en los cuales el tipo de fotodetector juega un papel fundamental respecto al material y características intrínsecas que determinan su capacidad y retardo para detectar luz y establecer una señal eléctrica en un ancho de banda determinado.  Como resultados se establece la capacidad de los acopladores ópticos eficientes corresponde a transmitir altos volúmenes de información sobre una pequeña área de un circuito integrado nanofotónico con bajas pérdidas, aplicados al diseño de redes ópticas de nueva generación.